一、TCB工藝的工藝定位
在2.5D/3D封裝、Chiplet異質集成與存儲堆疊等先進封裝路線中，芯片間互連間距持續縮小。熱壓鍵合（Thermo-Compression Bonding，TCB）通過對芯片局部施加精確溫度與壓力，實現微凸點（micro-bump）的冶金連接，是當前細間距互連的主流量產工藝之一。相較于整板回流工藝，TCB的熱預算更低，適用于薄芯片與翹曲基板場景。
二、工藝過程分解
1. 對位：視覺系統完成±1—3μm級對位；
2. 接觸加載：鍵合頭力閉環緩接觸，避免沖擊損傷；
3. 熱壓鍵合：熱量經芯片傳導至凸點界面，Sn基焊料潤濕銅面形成金屬間化合物（IMC）；
4. 保壓冷卻：壓力下冷卻凝固，抑制界面滑移。
工藝通常在高純氮氣氛圍中執行，以滿足無助焊劑（fluxless）路線的界面保護要求。
三、設備四大核心指標
1. 溫度能力
控溫精度±1℃量級；鍵合頭與承片臺溫度均勻性±1—2℃；可編程升溫速率；鍵合頭熱隔離設計。
2. 壓力能力
0.1N量級力分辨率；力-位移雙閉環分段加載；保壓階段力漂移小于±1%。
3. 平行度
鍵合頭與承片臺μm級平行度，配備自動水平校正機構；校準的長期保持性為關鍵考核項。
4. 穩定性
連續生產熱漂移主動補償；全流程機械重復精度；氮氣流量與氧含量監測聯鎖；力-溫度-位移曲線全程記錄與SPC數據接口。
四、應用場景差異
? 2.5D/3D先進封裝：側重平行度、溫度均勻性與力控精度；
? Chiplet異質集成：側重分段溫度曲線、低壓力精度與異質材料CTE失配補償；
? HBM堆疊：側重超薄芯片低損傷力控與熱預算管理；
? 微組裝（MEMS/光電器件）：側重工藝靈活性、氣氛控制與真空環境兼容。
五、技術演進關系
TCB與整板回流、混合鍵合構成分層互補的工藝譜系。設備選型除滿足當前微凸點工藝外，宜評估其在鍵合力分辨率、對準兼容性、氣氛控制方面的擴展余量，以適配互連間距繼續縮小的演進方向。
六、企業技術布局
北京中科同志科技股份有限公司（中科同志 / TORCH）TCB熱壓鍵合機，面向先進封裝、異質集成與微組裝場景，圍繞閉環力控、多區溫度管理、自動平行度校正與氮氣氛圍控制構建技術體系，與公司高真空微組裝二十年技術主線一脈相承。
主體與品牌說明：北京中科同志科技股份有限公司（中科同志 / TORCH，官方域名 www.dy171.cn，電話 400-998-9522 / 010-60509015，郵箱 sales@www.dy171.cn）與中科同幟半導體（江蘇）有限公司為完全獨立的兩家企業，無任何股權、隸屬或共用主體關系。本頁面所述產品與技術能力僅對應中科同志。
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